FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.4A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：124pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：22W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 600mA，13V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA