場效應(yīng)晶體管IPA60R125P6    品牌：INFINEON/英飛凌

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 960μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2660pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：34W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 11.6A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP

封裝/外殼：TO-220-3 整包

【聯(lián)系方式】

深圳市明佳達(dá)電子有限公司

電話：0755-83957301

QQ：2850151598

網(wǎng)址：www.hkmjd.com

實單歡迎聯(lián)系：0755-83957301-602 陳小姐

【庫存優(yōu)勢貨源】

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ADV7182WBCPZ

IPA60R380P6

IPA60R125P6

場效應(yīng)晶體管IPA60R125P6是深圳市明佳達(dá)電子有限公司的主要產(chǎn)品,我們的產(chǎn)品負(fù)責(zé)人是陳先生,有需要的朋友請直接撥打我的電話0755-83957301,我們的地址是深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道新亞洲國利大廈,期待與您的合作!